原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的主要特點(diǎn)及測(cè)試功能
更新時(shí)間：2021-09-23 點(diǎn)擊量：2084
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的主要特點(diǎn)：
1、MOS 多光束傳感器技術(shù)。
2、單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱(chēng)窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
3、適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等。
4、薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能。
5、生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量。（選件）
6、光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量。（選件）
7、多基片測(cè)量功能。（選件）
8、基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能。（選件）
9、實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。
10、專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響。
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的測(cè)試功能：
1、實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量。
2、實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量。
3、實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量。
4、實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等。
