主要內(nèi)容

由于 III-V 族半導(dǎo)體生長(zhǎng)所需的襯底成本過高，這使得大面積半導(dǎo)體生長(zhǎng)技術(shù)受到限制。因此，能夠分離器件層并重復(fù)使用原始襯底是較為理想的方案，但現(xiàn)有的從襯底上剝離薄膜技術(shù)具有顯著缺點(diǎn)。這篇文章討論了在 III-V 族襯底和覆蓋層之間所生長(zhǎng)的水溶性堿鹵鹽薄膜的復(fù)雜性。大部分困難源于生長(zhǎng)的 GaAs 在高溫下會(huì)在 NaCI 表面活性分解。GaAs 沉積之前和沉積期間，原位電子束入射到 NaCl 表面會(huì)影響 III?V 族覆蓋層結(jié)晶度和形態(tài)。

在這篇文章中，團(tuán)隊(duì)研究了生長(zhǎng)過程中寬范圍生長(zhǎng)溫度、元素源和高能電子在不同點(diǎn)的撞擊通量時(shí)間等因素對(duì)生長(zhǎng)的影響。其中發(fā)現(xiàn)，根據(jù)特定生長(zhǎng)條件會(huì)出現(xiàn)各種形態(tài)（離散島狀物、多孔材料及具有尖銳界面的致密層）和結(jié)晶度（非晶、結(jié)晶、高紋理），這主要是由 GaAs 成核的變化驅(qū)動(dòng)，而 GaAs 成核在很大程度上受到反射式高能電子衍射束的影響。

其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 在研究過程中提供溫度測(cè)量

產(chǎn)品推薦

kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測(cè)試儀 是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度。

文獻(xiàn)信息

Consideration of the Intricacies Inherent in Molecular Beam Epitaxy of the NaCl/GaAs System

Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, William E. McMahon, Helio R. Moutinho, Aaron J. Ptak, and David L. Young*